產品介紹
主要用途 光刻機是光刻工藝過程的重要設備,本機型主要用于中小規模集成電路標準芯片的批量生產。 由于本機采用“蠅眼”式多點光源紫外曝光、三點式自動找平、微“漂移”式接觸分離、電動步進式切斯曼對準、自動裝卸片及自動預對準等先進機構和技術,使得本機具有:精度高、可靠性高、操作維修方便 、生產效率高等特點。 |
技術參數:
1.工作方式:盒到盒自動傳片,一次曝光全自動,套刻曝光半自動,單面曝光;
2.曝光面積:≥φ165mm;
3.曝光不均勻性:≤±3%;
4.曝光強度:≥10mw/cm2;
5.曝光分辨率:1μm;
6.曝光模式:可選擇一次曝光或套刻曝光模式;
7.顯微鏡掃描范圍:X:±40mm Y:±35mm
8.對準范圍:X、Y粗調±3mm,細調±0.3mm ;Q粗調±15°,細調±3°;
9.對準精度:1μm;
10.分離量;0~50μm可調;
11.接觸-分離漂移:≤1μm;
12.曝光方式:密著曝光,可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光;
13.找平機構:三點式自動找平;
14.顯微系統:雙視場CCD系統,顯微鏡60X~400X連續變倍(物鏡1.5X~10X),
雙物鏡距離可調范圍:45mm~150 mm,計算機圖像處理系統,19″液晶監視器;
15.掩模版尺寸:5″×5″、6″×6″、7″×7″;
16.基片尺寸:φ4″、φ5″、φ6″;
17.基片厚度:≤5 mm;
18.曝光燈功率:直流350W;
19.曝光定時:0~999.9秒可調;
20.對準方式:電動步進式切斯曼對準機構,節距0.5um;
21.曝光頭轉位:氣動;
22. 生產節拍:14秒+曝光時間+對準時間;
23.電源:單相AC220V 50HZ ,功耗≤1KW;
24.潔凈空氣壓力:≥0.4MPa;
25.真空度:-0.07MPa~-0.09MPa;
26.尺寸: 1300mm(長)×785mm(寬)×1650mm(高);
27.重量:約240Kg。
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