主要用途       主要用于集成電路、半導體元器件、光電子器件、光學器件研制和 生產。由于本機找平機構先進，找平力小，使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光。 工作方式       本機采用雙面對準單面曝光方式。既可以對基片的正面進行對準曝光，又可對基片的反面相對于正面對準曝光。 主要構成       主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場立式顯微鏡、雙目分離視場臥式顯微鏡、數字式攝像頭、計算機成象記憶系統、多點光源（蠅眼）曝光頭、PLC控制系統、氣動系統、真空系統、直聯式真空泵、二級防震工作臺和附件箱等組成。

主要功能特點
1.適用范圍廣
   適用于φ153mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。
2.分辨率高
   采用高均勻性的多點光源（蠅眼）曝光頭，非常理想的三點找平機構和穩定可靠的真空密著裝置，使本機的曝光分辨率大為提高。
3.套刻精度高、速度快
   采用版不動片動的下置式五層導軌對準方式，使導軌自重和受力方向保持一致，自動消除間隙；承片臺升降采用無間隙滾珠直進導軌、氣動式Z軸升降機構和雙簧片微分離機構，使本機片對版在分離接觸時漂移特小，對準精度高，對準速度快，從而提高了版的復用率和產品的成品率。
4.可靠性高
   采用PLC控制、進口電磁閥和按鈕、獨特的氣動系統、真空管路系統和經過精密機械制造工藝加工的零件，使本機具有非常高的可靠性且操作、維護、維修簡便。
5.特設“碎片”處理功能
    解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。

技術參數

1．曝光類型：正、反面對準單面曝光；
2．曝光面積：≥φ165mm；
3．曝光不均勻性：≤±3%；
4．曝光強度：≥10mw/cm2（365nm; 404nm; 435nm的組合紫外光）；
5．曝光分辨率：1μm；
6．曝光模式：可選擇正面對準套刻曝光或反面對準套刻曝光； 
7．對準范圍：X、Y粗調±3mm，細調±0.3mm；Q細調±3°；
9．對準精度：正面1μm；反面3～5μm；
10．分離量；0～50μm可調；
11．接觸－分離漂移：≤±0.5μm；
12．曝光方式：密著曝光，可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光。
13．找平機構：三點式自動找平。
14．顯微系統：
1）正面對準采用雙視場CCD立式顯微鏡：總放大倍數60X～400X（物鏡放 
大倍數1.5X～10X連續變倍），雙物鏡可調距離45mm～150mm，掃描范圍:X±40mm ，Y±35mm； 
2）反面對準采用雙視場CCD臥式顯微鏡：總放大倍數60X、120X兩種（物
鏡放大倍數2X、4X兩種）,雙物鏡可調距離25mm～70mm；
3）兩種顯微鏡共用一套計算機圖像處理系統。
15．掩模版尺寸：4″×4″、5″×5″、6″×6″、7″×7″；
16．基片尺寸：φ3″、φ4″、φ5″、φ6″；
17．基片厚度：≤5mm；
18．曝光燈功率：直流350W；
19．曝光定時：0～999.9秒可調；
20．對準方式：切斯曼對準機構。
21．曝光頭轉位：氣動；
22. 電源：單相AC220V  50HZ ，功耗≤1KW；
23．潔凈空氣壓力：≥0.4MPa；
24．真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；
25．尺寸： 920mm（長）×680mm（寬）×1600mm（高）；
26．重量：約180Kg。